半导体电阻率测试仪是实验室检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料之电阻率。半导体电阻率测试仪测试程序控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据，把采集到的数据在计算机中加以分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。Cn3检测VBA
半导体电阻率测试仪的技术指标:Cn3检测VBA
电源：220V交流Cn3检测VBA
可测晶片直径（最大）Ф100mm,方形230×220mmCn3检测VBA
恒流源：电流量程为0.01～1mA连续可调，误差≦±0.5%。Cn3检测VBA
数字电压表：量程：0.1～200mV,最大分辨率：100μVCn3检测VBA
电阻率显示：三位半数字显示：小数点、极性、过载、自动显示0.01-199.99欧姆。厘米Cn3检测VBA
输入抗阻：0.2mV和2mV量程：＞108ΩCn3检测VBA
测量精度：±0.1。Cn3检测VBA
最大电阻测量误差（按JJG508-87进行）：0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω≤±5%读数±2个字。Cn3检测VBA
重掺检测误差（JJG508-87进行）：1Ω≤±1%、0.5Ω≤±0.5%、0.1Ω≤±0.1%Cn3检测VBA
测量环境：温度23±2℃，相对湿度≤65%Cn3检测VBA
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半导体器件的开关特性
MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一种电压控制器件，它的3个电极分别称为栅极(G)、漏极（D）和源极（S），由栅极电压控制漏源电流。MOS管根据结构的不同可分为P型沟道MOS管和N型沟道MOS管两种，每种又可按其工作特性进一步分为增强型和耗尽型两类。Cn3检测VBA
1、静态特性Cn3检测VBA
MOS管作为开关应用时，同样是交替工作在截止与饱和两种工作状态。Cn3检测VBA
N沟道增强型MOS管的开关特性为：当栅源电压vGS＜开启电压VTN时，管子工作在截止状态，类似于开关断开；当栅源电压vGS＞开启电压VTN（大约在1～2V之间），且漏源电压加大到一定程度，满足vDS≥vGS-VTN时，管子工作在饱和状态，类似于开关接通。Cn3检测VBA
P沟道增强型MOS管与N型沟道增强型MOS管所不同的是，其工作电压vGS和vDS均为负电压，开启电压VTP一般大约在-2.5～-1.0V之间。Cn3检测VBA
2、动态特性Cn3检测VBA
MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的充、放电所需的时间，而MOS管内部电荷“建立”和“消散”的时间很短。Cn3检测VBA
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